磁控電抗器式動態無功補償成套裝置
注解:
1、系列代碼:DY-MSVC系列
2、額定電壓:6kV、10V、35V
3、額定容量:1Mvar~30Mvar
MCR型系列動態無功補償成套裝置(以下簡稱MSVC),適用于35kV、110kV變電站6~35kV母線的動態無功補償。通過自動調節MCR的感性無功,實現平滑穩定系統的功率因數和無功需求:減少系統電壓波動,穩定系統電壓,降低系統電壓閃變,提高供電電壓質量。裝置FC支路可根據系統情況做成固定、自動電容器組或濾波通道。其中FC補償(濾波)支路主要由電容器、電抗器、放電線圈和保護元件組成,具有提供容性無功和濾波功能;磁控電抗器MCR支路由磁控電抗器、晶閘管、MCR控制器等組成,具有動態調節無功功率的功能。
額定電壓 | 6KV/10KV/35KV |
工作頻率 | 50±2.5Hz |
單機裝置容量 | 1Mvar~30Mvar |
響應速度 | 瞬時響應<1ms,全響應<10ms |
電壓閃變抑制比 | 5:01 |
功率因數 | >0.99,用戶可自行設定 |
功耗 | <3% |
與上位機通訊的功能 | 具有與上位機實時通信的功能,RS232/RS485,通訊協議Modbus、IEC61850 |
安裝和散熱方式 | 戶內安裝,油冷與自然風冷相結合散熱 |
過載能力 | 過載限流能力,以及2*Irms的峰值電流過載能力 |
保護功能 | 系統過壓、欠壓,缺相,短路保護,裝置過流,過熱保護,可控硅保護等 |
電磁兼容 | 達到歐盟標準EN50121-5:2000要求 |
噪音水平 | <75dB |
環境溫度 | -10℃~+40℃ |
防護等級 | IP30 |
環境濕度 | <95%,無凝露 |
采用磁路并聯漏磁自屏蔽式磁路和自藕式直流助磁電路的設計技術,使磁控電抗器實現了結構可靠、制造工藝成熟、產品性能先進等優良的技術經濟指標,解決了目前各類可控電抗器成本高、生產效率低、損耗高、噪音大、難以在實際生產中應用等問題。
磁控電抗器不需要外接電源,完全由電抗器的內部繞組來實現自動控制。通過控制可控硅晶閘管的導通角進行自動控制,實現連續可調,投運后免維護,無須專人值守。
采用低電壓可控硅控制,正常運行時無需承受高電壓;
磁控電抗器結構簡單,占地面積小,基礎投資大大壓縮。
運行中的磁控電抗器自身有功損耗低,僅為額定容量的0.1%。
相同容量的裝置綜合造價比較低。
磁控電抗器利用低壓可控硅作為調節裝置,不需要串、并聯,承受電壓只有總電壓的1%~2%,可控硅不容易被擊穿,運行穩定可靠。
即使可控硅或二極管損壞,磁控電抗器也僅相當于一臺空載變壓器,不影響系統其他裝置的運行。
接入系統的磁控電抗器當其容量與電容器容量相等時,會發生并聯諧振,等效阻抗為無窮大,相當于從系統中斷開。
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